안녕하세요. 반도체회사 설비 담당 엔지니어입니다.

일단 저의 부서는 PKG공정이며 한 설비에 CVD chamber가 붙어서 부수적인 역할을 하고있습니다.

따라서 CVD(RF)에 관련된 지식이 많이 부족한 상태입니다.

그와중에 양산을 진행하다보니 RF파라미터에 문제가 생겼을때 단순 parts를 교체해가며 경험적으로 원인을 찾고

문제를 해결하고있습니다...

이에 답답함을 느껴 실제 이론도 생각해가며 문제를 해결하고 싶다는 생각이 많이 들더라구요.

그래서 현업에서 궁금했던 내용들 몇가지를 여쭤보고 싶습니다.

1. Chamber PM 후 depo 진행시 Shunt(load cap), voltage, current 값이 모두 상승하는 현상이 있었습니다.

    제가 질문방에서 검색하고 공부한 내용으로

    > shunt는 50옴으로 맞추기위해 sensing 해가면서  resistance를 맞춘다 (임피던스의 실수성분)

    > series는 reactance 성분을 없앤다 (임피던스의 허수성분) 라고 알고 있는데,

    >>>> 그렇다면 shunt가 기존대비 높아진다는것은 pm후 chamber내의 resistance가 높아졌고

             높아진 Resistance를 줄이기위해 shunt가 높아진것인가요??? (pF총용량대비 퍼센트가 높아졌고)

           >> voltage와 current가 함께 높아진것도 상관관계가 있는 것인가요?

2. 위에 적은것처럼 Series가 리액턴스 성분을 없대준다고 알고 있는데 또 다른글에서는 phase를 줄여준다고 하는것을 본적있습니다.

    Series가 리액턴스 즉, 허수성분을 없애는것이 V,I의 phase를 없애는것과 동일한 내용인가요?

3. 예를들어 300w의 RF를 켰을때 1초간격의 raw data를 보면 Delivery power (v*i*cos(phase))가 300W까지

    올라가도(안정화돼도) phase는 계쏙 -70대를 유지하고 있었습니다.

    이론상 phase가 없어야 최대전력을 출력하는 것이고 300W를 제대로 출력하고있다면 phase가 0이어야 하는게 아닌가요?

미약한 지식을 가지고 두서없게 질문드린것 같아 죄송합니다ㅠㅠ

게시판에서 너무 많은도움받고 있습니다~ ㅎㅎ 항상 감사합니다!!

확인 후 답변 부탁드리겠습니다.