Plasma in general RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY
2020.06.11 22:09
안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.
몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.
1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?
2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?
3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.
마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77182 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20453 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57351 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68890 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92929 |
| 804 |
CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다.
 | 11 |
| 803 |
Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다
[1]  | 12 |
| 802 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 31 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 38 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 48 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 53 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 54 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 58 |
| 796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 59 |
| 795 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 70 |
| 794 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 72 |
| 793 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 75 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 82 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 82 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 88 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 100 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 102 |
| 787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 107 |
| 786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 112 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 114 |