Etch Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [292] | 77358 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20517 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57432 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68976 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93001 |
| 431 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 3074 |
| 430 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2955 |
| 429 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2952 |
| 428 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2927 |
| 427 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2915 |
| 426 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2878 |
| 425 |
임피던스 매칭회로
[1]  | 2860 |
| 424 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2841 |
| 423 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2747 |
| 422 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2729 |
| 421 | PR wafer seasoning [1] | 2720 |
| 420 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2710 |
| 419 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2709 |
| 418 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] | 2610 |
| 417 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2603 |
| 416 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2600 |
| 415 | 질문있습니다. [1] | 2599 |
| 414 | Si Wafer Broken [2] | 2593 |
| 413 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2546 |
| 412 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2525 |