Etch Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
2020.07.09 13:00
안녕하세요 교수님
Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [293] | 77380 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20520 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57454 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68985 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93009 |
809 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 145753 |
808 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134469 |
807 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 96238 |
806 | Plasma source type | 79740 |
805 | Silent Discharge | 64567 |
804 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 55110 |
803 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 48040 |
802 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43731 |
801 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41326 |
800 | 대기압 플라즈마 | 40729 |
799 | Ground에 대하여 | 39545 |
798 | RF frequency와 RF power 구분 | 39126 |
797 | Self Bias | 36407 |
796 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 36014 |
795 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34993 |
794 | PEALD관련 질문 [1] | 32667 |