Chamber component 알고싶습니다
2020.09.09 11:31
안녕하세요. 반도체 장비부품쪽 업종에서 일을 하고 있습니다.
현재 Etch 장비를 Coating 후 1Cycle을 사용한 후 Particle Issue가 일어나 중간에 세정을 진행하여 장착하면 E/R값이 상승합니다.
E/R값을 잡기 위해서 세정후에 Coating면에 Plasma를 조사하면 어떨까 하는데 효과가 있을지가 궁금하고 E/R값이 전반적으로 어떤 것에 영향이 미치는지 궁금합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77310 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20506 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57415 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68958 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92991 |
570 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1099 |
569 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1104 |
568 | Plasma Arching [1] | 1104 |
567 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1112 |
566 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1119 |
565 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1128 |
564 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1131 |
563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1145 |
562 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1152 |
561 | 자기 거울에 관하여 | 1152 |
560 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1155 |
559 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1156 |
558 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1157 |
557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1159 |
556 | wafer bias [1] | 1166 |
555 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1169 |
554 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1175 |
553 | 공정플라즈마 [1] | 1175 |
552 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1176 |
551 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1182 |