Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
2021.05.25 11:57
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.
에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에
60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..
27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..
매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데
어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77189 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20457 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57356 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92938 |
| 625 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14903 |
| 624 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1368 |
| 623 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1026 |
| 622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 885 |
| 621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2326 |
| 620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1544 |
| 619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1438 |
| 618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 723 |
| 617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1027 |
| 616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 741 |
| 615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 735 |
| 614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1480 |
| 613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2036 |
| 612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 821 |
| 611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2136 |
| 610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1503 |
| 609 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1175 |
| 608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 327 |
| 607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3203 |
| 606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3345 |