Sheath CVD 공정에서의 self bias
2021.06.13 19:47
안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.
self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.
1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과
2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과
3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과
실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..
사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..
그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???
(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)
만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????
학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..
많이 배워가고 있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77194 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20458 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57358 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68897 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92941 |
625 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14904 |
624 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1368 |
623 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1027 |
622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 885 |
621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2328 |
620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1545 |
619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1439 |
618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 723 |
617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1027 |
616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 741 |
615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 735 |
614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1481 |
613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2039 |
612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 822 |
611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2136 |
610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1504 |
609 | 전자 온도 구하기 [1] | 1175 |
608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 327 |
» | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3204 |
606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3345 |