Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
2022.03.24 15:39
안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다.
최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.
RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다.
가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77178 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20452 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57350 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92927 |
| 584 | 고진공 만드는방법. [1] | 1019 |
| 583 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1023 |
| 582 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1024 |
| 581 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1024 |
| 580 |
langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다.
[1]  | 1027 |
| 579 |
CCP Plasma 해석 관련 문의
[1] | 1034 |
| 578 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1037 |
| 577 | 플라즈마 코팅 [1] | 1045 |
| 576 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1047 |
| 575 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1055 |
| 574 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1056 |
| 573 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1066 |
| 572 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1070 |
| 571 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1] | 1076 |
| » | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1076 |
| 569 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1086 |
| 568 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1087 |
| 567 | Plasma Arching [1] | 1090 |
| 566 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1091 |
| 565 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1104 |