Etch etch defect 관련 질문드립니다

2022.04.28 18:19

르후앤 조회 수:1110

1. etch 공정이 완료된 이후 가장자리에 다량의 defect가 발견되었는데 이때 원인을 분석하기 위한 방법이 무엇이 있을까요?

 

2. 또 1번의 defect를 줄이기 위한 방법이 무엇이 있을까요?

 

저 나름대로 공부를 해봤는데 다른분들 의견이 궁금해서 질문드립니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77151
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20432
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57337
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68884
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92905
802 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 26
801 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 29
800 Druyvesteyn Distribution 34
799 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 47
798 플라즈마 식각 커스핑 식각량 49
797 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 49
796 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 50
795 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 60
794 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 63
793 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 69
792 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 78
791 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 78
790 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 88
789 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 96
788 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 99
787 플라즈마 설비에 대한 질문 100
786 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 107
785 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 109
784 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 121
783 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 121

Boards


XE Login