Etch Polymer Temp Etch
2022.09.12 14:28
안녕하세요
현직에있는 Etch Engineer입니다..
최근 Wordline으로 떨어지는 CMC공정에서의 Punching 이슈로 H/W관점에서 여러가지 Test를 하고있는 상황입니다.
(Punching Point는 300mm Wafer의 최외각보단 안쪽, 약 200~300 mm 사이에서 발생)
모든 Chamber에서 100%는 아니지만 현시점에선 200Hr 후반대 Variation이 있기때문에 그부분을 해소해야하는 상황인데요.
실험Test 결과를 바탕으로, Temp에 의한 Polymer유동 관점으로 메커니즘이 세워지지 않는 부분과
어떤 방향으로 Approach하면 좋을지 조언받기위해 질문 드립니다.
[Punching 개선된 Action] *CCP설비이며 ESC가 Heater Chuck은 아님. Time Etch 사용
1. ESC Embossing 밀도 사양을 변경하여 ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨
→ 초기 Punching Variation Issue는 해소
2. ESC Temp에 영향 주는 Chiller Temp Offset -1도 입력시, ESC Temp가 기존대비 1도 상승하여 Reading됨
→ 사용중 Punching 발생으로 해당 Input을 넣었을시, Punchng Issue가 일시적으로 해소되나 몇 매 진행후 다시 경시적으로
Punching 발생
3. 상부 열전도율 높여주는 부품인 Pad(ShowerHead와 GDP사이 장착)를 Punching발생시점에 A급으로 교체
→ Sample 1매가 완벽하게 해소(그 이후 추가진행은 시도 안해봤으나, 2CB에서 2번 모두 재현성있게 확인됨.)
상기 3가지의 실험으로 봤을때,
- Pattern Wafer에 영향 주는 Temp가 기존대비 상승 → Wafer주변 Polymer 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)
- 상부 열전도율 경시성으로 하향 → A급 교체후 열전도율 상승으로 Temp 기존대비 하향 → Polymer량 상대적으로 상부로 이동하여
하부 Pattern Wafer 근처 Polymer량 감소 → NOP에 유리 (Punching에 불리)
☞모두 Punching에는 취약한 부분으로 수렴이되는데 어떤 개념을 놓쳤는지 그리고 이후 실험방향을 어떻게 잡아야하는
지도 도움 부탁드립니다..
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77055 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20376 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57288 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68833 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92833 |
681 | OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] | 619 |
680 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1929 |
679 | plasma striation 관련 문의 [1] | 491 |
678 | Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. | 558 |
677 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 640 |
676 | Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] | 560 |
675 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1200 |
674 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1238 |
673 | Plasma Arching [1] | 1085 |
» | Polymer Temp Etch [1] | 693 |
671 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 1030 |
670 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 503 |
669 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1420 |
668 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1332 |
667 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 463 |
666 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 817 |
665 | Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] | 902 |
664 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 839 |
663 | CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] | 5213 |
662 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1274 |