Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거

2023.06.13 09:36

플라플라 조회 수:446

안녕하세요 

현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다. 

플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다. 

공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77301
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20496
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68946
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
730 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 424
729 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 424
728 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 426
727 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 433
726 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 433
725 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 434
724 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 436
723 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 443
» 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 446
721 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 453
720 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 457
719 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 457
718 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 460
717 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 461
716 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 470
715 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 470
714 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 473
713 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 473
712 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 476
711 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 477
쓰기
태그

Boards

XE Login