Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77101 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20404 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57314 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68854 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92869 |
761 | 플라즈마 온도 | 27832 |
760 | DBD란 | 27766 |
759 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27658 |
758 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27226 |
757 | 이온과 라디칼의 농도 | 27034 |
756 | self bias (rf 전압 강하) | 26762 |
755 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26504 |
754 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26252 |
753 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26234 |
752 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26203 |
751 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25590 |
750 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24994 |
749 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24905 |
748 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24895 |
747 | plasma와 arc의 차이는? | 24799 |
746 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24782 |
745 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24775 |
744 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24686 |
743 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24636 |
742 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24530 |