안녕하세요 저는 현재 PECVD 장비를 사용하는 연구원입니다.

 

어플라이드社의 PRODUCER-S 설비로 ACL 공정을 Set-up하고 있습니다.

 

Unif를 잡기위해서 압려과 RF Power를 건드려 가며 조정 중에 있는데

 

RF Ref가 어떤 조건에서는 높게 뜨고 어떤 조건에서는 낮게 뜨는데 어떤 조건이 영향을 미칠까요?

 

알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [287] 77333
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20511
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57431
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68970
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92997
810 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] 30
809 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 33
808 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] 43
807 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 45
806 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 51
805 Druyvesteyn Distribution 57
804 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 63
803 플라즈마 식각 커스핑 식각량 68
802 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 73
801 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 74
800 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 76
799 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 83
798 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 84
797 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 89
796 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 91
795 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 93
794 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 93
793 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 95
792 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 105
791 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 108

Boards


XE Login