안녕하세요. 반도체 산업현장에서 Dry Etch 업무를 하고 있는 Engineer 입니다. 

CCP 방식의 Plasma Etch 과정 중 Arcing 다발하는 문제에 대해 개선을 하려고 하고 있습니다. 

해당 현상에 대해 설명드리면, Plasma 형성이 정상적으로 되어 Etch Process가 진행되는 도중에 순간적(Soft Arcing 추정, ms 단위 추정) Bias Reflected Power가 발생하게 됩니다. 원래 잘 형성 되어있던 Self DCBias Voltage가 이때 절반 혹은 그 이상으로 Drop이 되며 Drop된 Level을 유지하며 Process가 진행 됩니다. 그러고 몇십초 후 Bias Reflected Power가 크게 발생하여 Error 가 발생하는 경우 입니다.  

해당 Chamber를 열어보면 Wall Liner류 혹은 고정 Screw 등 Random 한 Point로 Arcing이 발생하는데요. 추정은 노화, 열화되어 변형된 부품들에 전하 축적으로 인한 Soft Arcing 발생 이후 Hard Arcing 유발됨으로 보고 있습니다. 이때 DCBias Voltage Drop 되는 것과 Drop 된 Level 을 유지하면서 몇십초간 유지하는것을 어떻게 해석해야 할지 알고 싶습니다. 

답변에 미리 감사드립니다.