Others Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다.
2023.10.19 19:41
안녕하십니까
플라즈마 장비 관련하여 공부하던 중 아킹 관련하여 궁금증이 생겨 문의드립니다.
혹시 웨이퍼를 잡아주는 엣지링이나 전극의 소재 특성을 바꾸어 주어 방전 효과를 준다면 아킹을 줄일 수 있을지 문의드립니다.
추가로 엣지링의 전도도와 같은 특성을 변경한다면 쉬스 영역에 변화가 생길지도 문의드립니다.
( 전도도가 높을 때와 낮을 때 쉬스의 변화가 있는지 궁금합니다.)
아직은 지식이 많이 부족한 상태입니다. 많은 도움 부탁드립니다. 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77203 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20464 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57360 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68899 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92945 |
766 | 플라즈마 온도 | 27844 |
765 | DBD란 | 27776 |
764 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27668 |
763 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27236 |
762 | 이온과 라디칼의 농도 | 27054 |
761 | self bias (rf 전압 강하) | 26780 |
760 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26509 |
759 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26297 |
758 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26245 |
757 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26217 |
756 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25595 |
755 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24996 |
754 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24914 |
753 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24905 |
752 | plasma와 arc의 차이는? | 24848 |
751 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24789 |
750 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24787 |
749 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24704 |
748 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24651 |
747 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24531 |