Etch Etch Plasma 관련 문의 건..

2024.02.13 10:49

프라즈 조회 수:291

 

안녕하세요, 

반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다. 

 

저희 etch 설비(ICP TYPE)가 아래와 같이 Power 및 주파수를 사용하고 있는데

현 상태에서 주파수만 위 아래 변경하면 어떤 효과가 있을지... 궁금하여 질문 드립니다..

답변해 주시면 감사하겠습니다..

 

현) RF 100W(2Mhz), Bias 150W(13.56MHz) -> 변경) RF 100W(13.56Mhz), Bias 150W(2MHz)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77217
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68901
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92947
766 플라즈마 온도 27847
765 DBD란 27777
764 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27669
763 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27237
762 이온과 라디칼의 농도 file 27056
761 self bias (rf 전압 강하) 26782
760 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26511
759 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26299
758 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26246
757 충돌단면적에 관하여 [2] 26217
756 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25596
755 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24996
754 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24914
753 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24906
752 plasma와 arc의 차이는? 24850
751 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24791
750 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24787
749 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24705
748 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24653
747 플라즈마가 불안정한대요.. 24531

Boards


XE Login