ESC Edge ring의 역할 및 원리 질문
2024.02.29 01:39
안녕하세요 교수님
반도체회사에서 icp type 설비(HDP)를 맡고 있는 직장인입니다.
ESC 관련 study 중 아래 사항들에 대해 궁금하여 질문드립니다.
edge ring의 역할이 ' wafer 가장자리 공정 균일도 제어 용의 부품' 이라는 것을 게시글을 보며 알게 되었습니다.
1. edge ring이 있을 때와 없을 때 어떤 차이가 있는지 알고 싶습니다.
2. Edgr ring을 쓰게되면 플라즈마 하부전극의 Cap을 조절되어 플라즈마 밀도변화와 Edge에서 아래로 휜 Sheath 구배를 Flat하게 변화시킨다는 것을 봤습니다.. ICP 구조 설비의 플라즈마 하부에서(ESC) edge영역의 cap 이 병렬로 추가 됨으로써, 쉬스구배가 왜 flat 해지는건지, 기존에는 edge에서 왜 아래로 휘었는지, CAp이 추가되어 왜 flat해지는지 알고 싶습니다. 플라즈마 강의들을 봐도 관련된 수식이나 원리는 찾기가 어려워 질문드립니다.
3. WAFER BURN 이슈가 있습니다. 게시글 내 PLASMA가 침투하여 플라즈마의 높은 온도에 의해 해당현상이 나타날 수 있다는 것을 알게 되었습니다. 어떤 원리로 PLASMA가 확산하는지 알고 싶습니다.
항상 감사드립니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77059 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20378 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57290 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68835 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92836 |
61 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24394 |
60 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24529 |
59 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24634 |
58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24682 |
57 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24774 |
56 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24782 |
55 | plasma와 arc의 차이는? | 24795 |
54 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24894 |
53 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24901 |
52 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24994 |
51 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25590 |
50 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26197 |
49 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26229 |
48 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26245 |
47 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26497 |
46 | self bias (rf 전압 강하) | 26759 |
45 | 이온과 라디칼의 농도 | 27031 |
44 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27226 |
43 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27655 |
42 | DBD란 | 27761 |