안녕하세요

현업에서 ICP-RIE 장비로 III-V 반도체 dry etching 을 하고 있습니다. 

(AlGaInP, AlInP, GaP, GaAs 에칭)

1) wafer 를 놓는 susceptor의 재질에 따라 생성되는 플라즈마가 다를 수 있을지요?

   기판에 He 직접 공급되는 알루미늄 재질의 susceptor와 기판에 He이 기판에 직접 전달되지 않는 SiC 재질의 susceptor를 사용하고 있는데요

   etching 되는 형태, etch rate, PR의 damage 정도가 아래와 같이 서로 다르게 나타납니다. (압력, 가스 유량, RF Power는 동일)

                        알루미늄 susceptor                SiC susceptor

   He cooling         wafer 직접 전달                   직접 전달 X

   측벽각            측벽각 낮음 (약 60도)               측벽각 높음 

   Etch rate                    low                                fast

   PR damage                적음                               심함 (에칭 측벽에 세로줄 심하게 생김)

   단순히 알루미늄 susceptor는 열전도가 좋아 표면의 온도가 낮고 SiC susceptor는 표면의 온도가 높아서 나타나는 현상으로 이해해도 되는지

   아니면 susceptor의 전도도 차이에 의해 기판쪽으로 잡아당기는 RIE 플라즈마가 다르게 형성되는 원인인지 궁금합니다.

   (SiC 대비 알루미늄이 전도도가 높아 유도되는 capacitance 가 작을 것 같습니다.)

2) HBr 가스를 사용 시 측벽각이 매우 steep 하게 형성되는데요

   Cl 기반의 에칭 조건과 Br 기반의 에칭이 크게 다른 이유가 있을까요?