안녕하세요 DRY ETCH 설비 저년차 엔지니어입니다.

RF REFLECT POWER HUNING 원인이 궁금합니다

최초 현상

PROCESS 진행 간 변경점 없이 RF BIAS/TCP REFLECT HUNTING > RF 매칭 후 REFLECT는 다시 하향

(RF SHUNT. SERIES. VOL 당시 DATA 그려보면 흔들렸으나, 아래 파츠 교체 후 흔들리는 DATA는 양호해짐)

> 그 후 RF BIAS FOWARD POWER가 중심치가 너무 올라가 설비를 사용 못하는 상황입니다.

  (POWER 사용 영역대 관계없이 REFLECT HUNTING 수준은 동일)

RF BIAS GENERATER, MACHER, RF CABLE 교체해봤으나 REFLECT가 HUNTING하는건 동일하고, FOWARD POWER도 계속 높게 유지됩니다.

RF LOAFLD, RF GASKET쪽도 특이점은 안보입니다

PROCESS CHAMBER 내부 WALL, ESC 등 확인은 못해봤으나 챔버 내부 문제일 수 도 있을까요?

(최초 발생시점 PROCESS 진행중이였던 SLOT 문제 등)