Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power]

2011.12.07 17:12

coating revolution 조회 수:29293

안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77136
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20421
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57334
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68871
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92894
782 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 130
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 132
780 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 143
779 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 144
778 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 146
777 Microwave & RF Plasma [1] 151
776 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 159
775 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 160
774 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 174
773 corona model에 대한 질문입니다. [1] 176
772 ICP에서 전자의 가속 [1] 181
771 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 188
770 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 193
769 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 196
768 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [2] 198
767 skin depth에 대한 이해 [1] 207
766 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 210
765 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 214
764 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 219
763 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 220
쓰기
태그

Boards

XE Login