Ion/Electron Temperature 플라즈마 발생 억제 문의
2012.03.19 14:12
안녕하십니까
플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법은 무엇인지 어쭙고자 글을 올리게 되었습니다.
고주파 유도가열(3MHz)을 이용하여 실리콘(Si)을 가열하여 아르곤 분위기에서 실리콘 결정성장을 시키고 있습니다.
(코일은 팬케이크 형태임.)결정 성장을 시킬때 가끔씩 코일에 플라즈마가 발생하며,이로인해 코일arcing이 가끔 발생하여 코일이
소손되는것 같습니다.
플라즈마 발생을 억제시킬수 있는 방법이 없을지 문의 드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77294 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20490 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57409 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68939 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92987 |
810 |
Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다.
[1] ![]() ![]() | 9 |
809 | 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] | 10 |
808 |
micro arc에 대해 질문드립니다.
[1] ![]() | 10 |
807 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] | 38 |
806 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 41 |
805 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 42 |
804 | Druyvesteyn Distribution | 53 |
803 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 58 |
802 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 58 |
801 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 64 |
800 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 68 |
799 | Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] | 71 |
798 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 75 |
797 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 83 |
796 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 86 |
795 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 89 |
794 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 91 |
793 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 92 |
792 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 98 |
791 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 98 |