Etch RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
2017.01.17 17:27
안녕하세요.
RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..
Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.
근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.
Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?
제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.
미리 답변 감사합니다.
수고하세요.
댓글 4
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77181 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20453 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57351 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68889 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92929 |
| 804 |
CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다.
 | 8 |
| 803 |
Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다
[1]  | 11 |
| 802 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 31 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 38 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 48 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 53 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 54 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 58 |
| 796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 59 |
| 795 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 70 |
| 794 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 72 |
| 793 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 75 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 82 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 82 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 88 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 100 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 102 |
| 787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 107 |
| 786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 112 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 114 |