안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77136
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20421
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57333
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68871
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92894
522 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1346
521 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1348
520 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1362
519 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1364
518 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1374
517 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1377
516 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1394
515 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1398
514 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1399
513 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1400
512 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1402
511 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1411
510 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1413
509 플라즈마 관련 교육 [1] 1421
508 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1428
507 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1430
506 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1431
» O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1440
504 MATCHER 발열 문제 [3] 1444
503 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1446

Boards


XE Login