Sputtering sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
2017.10.02 14:13
안녕하세요.
해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.
RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.
저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.
학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.
논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.
그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
| 806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 8 |
| 805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 20 |
| 804 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 22 |
| 803 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 36 |
| 802 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 39 |
| 801 | Druyvesteyn Distribution | 47 |
| 800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 54 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 58 |
| 798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 60 |
| 797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 67 |
| 796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 72 |
| 795 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 76 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 82 |
| 793 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 86 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 87 |
| 791 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 90 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 91 |
| 789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 102 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 110 |
| 787 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 118 |