CCP CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다.
2018.04.05 20:01
안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.
너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속
-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )
-> 임피던스 감소
여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.
그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는
플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는
플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데
저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76981 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20332 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57254 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68801 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92795 |
797 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144679 |
796 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134455 |
795 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95793 |
794 | Plasma source type | 79707 |
793 | Silent Discharge | 64561 |
792 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54973 |
791 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47940 |
790 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43710 |
789 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41278 |
788 | 대기압 플라즈마 | 40717 |
787 | Ground에 대하여 | 39492 |
786 | RF frequency와 RF power 구분 | 39094 |
785 | Self Bias | 36391 |
784 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35967 |
783 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34965 |
782 | PEALD관련 질문 [1] | 32652 |