Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭
2020.05.15 23:53
안녕하세요 교수님
현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.
FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고
Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.
1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?
2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77331 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20510 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57430 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68969 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92996 |
810 | 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] | 28 |
809 | micro arc에 대해 질문드립니다. [1] | 33 |
808 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] | 43 |
807 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 45 |
806 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 49 |
805 | Druyvesteyn Distribution | 57 |
804 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 63 |
803 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 68 |
802 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 72 |
801 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 73 |
800 | Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] | 73 |
799 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 83 |
798 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 83 |
797 | Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] | 88 |
796 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 91 |
795 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 93 |
794 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 93 |
793 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 94 |
792 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 105 |
791 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 106 |