Plasma Source ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다.
2020.12.27 15:04
안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.
ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면
RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요
Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77180 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20452 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57350 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92928 |
804 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. | 4 |
803 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 10 |
802 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 31 |
801 | Druyvesteyn Distribution | 38 |
800 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 48 |
799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 53 |
798 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 54 |
797 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 57 |
796 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 59 |
795 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 68 |
794 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 72 |
793 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 75 |
792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 82 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 82 |
790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 88 |
789 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 100 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 102 |
787 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 107 |
786 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 112 |
785 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 112 |