안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.

 

ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면

 

RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요

 

Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77242
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57374
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68904
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92952
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3346
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1177
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1877
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1466
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1116
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 1015
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1818
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2904
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1934
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3461
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 229
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2394
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1378
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2436
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3276
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 945
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2045
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 4010
587 플라즈마 챔버 [2] 1289

Boards


XE Login