Matcher RF 반사파와 이물과의 관계
2021.02.25 14:33
안녕하십니까 교수님
디스플레이 업체에서 현재 CVD설비 공정분석을 담당하고 있는 이재학입니다.
Chamber별로 RF Reflect의 수준이 상이하며, 검사기에 검출되는 불량수와 양의 관계로 확인되고 있습니다.
1. RF Reflect 발생으로 인해 내부 이물이 과생성되는 건지
2. 내부 이물로 의해 RF Reflect가 점점 커지는지 의문입니다.
1의 경우 Load/Tune을 통해 내부 이물을 제어하는 평가를 진행하려하고
2의 경우 Parts 교체와 재질변경을 통해 RF Reflect를 낮추는 방향으로 진행하려합니다.
교수님의 견해로는 어느방향에 유의차가 있을지 문의드립니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77272 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20485 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57400 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68922 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92970 |
| 567 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1104 |
| 566 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1110 |
| 565 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1111 |
| 564 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1124 |
| 563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1141 |
| 562 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1147 |
| 561 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1148 |
| 560 | 자기 거울에 관하여 | 1152 |
| 559 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1153 |
| » | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1154 |
| 557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1156 |
| 556 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1161 |
| 555 | wafer bias [1] | 1162 |
| 554 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1172 |
| 553 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1175 |
| 552 | 공정플라즈마 [1] | 1175 |
| 551 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1175 |
| 550 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1180 |
| 549 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1180 |
| 548 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1183 |