CCP CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계
2021.08.05 17:12
안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.
저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.
다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니
플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.
운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.
이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.
왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??
감사합니다~!
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76888 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20285 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57204 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68758 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92713 |
| 799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 12 |
| 798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 13 |
| 797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 17 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 22 |
| 795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 30 |
| 794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 35 |
| 793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 58 |
| 792 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 64 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
| 790 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 73 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 75 |
| 788 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 76 |
| 787 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 81 |
| 786 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 83 |
| 785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 88 |
| 784 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 95 |
| 783 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 98 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 121 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 123 |
| 780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 124 |