Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77222 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20468 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68902 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92950 |
706 | E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] | 333 |
705 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1100 |
704 | OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] | 632 |
703 | self bias [1] | 552 |
702 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 881 |
701 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 758 |
700 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 634 |
699 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1238 |
698 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 379 |
697 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1507 |
696 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 605 |
695 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 176 |
694 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 924 |
693 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 630 |
692 | 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] | 631 |
» | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28988 |
690 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 395 |
689 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 753 |
688 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 750 |
687 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1153 |