Etch 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘
2023.05.19 12:58
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.
plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?
또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.
chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77091 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20397 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57308 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68850 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92861 |
797 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144760 |
796 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134458 |
795 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95811 |
794 | Plasma source type | 79715 |
793 | Silent Discharge | 64561 |
792 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54982 |
791 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47949 |
790 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43712 |
789 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41283 |
788 | 대기압 플라즈마 | 40718 |
787 | Ground에 대하여 | 39497 |
786 | RF frequency와 RF power 구분 | 39100 |
785 | Self Bias | 36392 |
784 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35975 |
783 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34966 |
782 | PEALD관련 질문 [1] | 32652 |