Deposition PECVD Uniformity
2023.11.07 09:14
PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.
이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.
제 생각에는
1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기
이러한 방법은 가능한 방법들일까요??
다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76988 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20335 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57260 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68804 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92803 |
721 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22785 |
720 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22703 |
719 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22634 |
718 | Peak RF Voltage의 의미 | 22622 |
717 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22583 |
716 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22553 |
715 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22263 |
714 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22224 |
713 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22187 |
712 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22153 |
711 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22099 |
710 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 22008 |
709 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21959 |
708 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21916 |
707 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21774 |
706 | manetically enhanced plasmas | 21663 |
705 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21619 |
704 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21545 |
703 | ccp-icp | 21541 |
702 | F/S (Faraday Shield) | 21524 |