Process Cu migration 방지를 위한 스터디
2023.12.18 23:14
디스플레이 업계 어레이 공정 개발을 담당하고 있습니다.
골치 아픈 문제가 있어 이렇게 자문을 구해봅니다.
Bottom Gate로 Copper를 사용하고 있고, GI막을 SiNx+SiO2 이런 구조로 사용하고 있습니다.
현재 제품의 문제가 고객단에서 Gate-SD Short 문제인데요,
GI Particle 관점에서 말고, GI막내로 Gate Cu migration으로 인한 항복전압(Breakdown Voltage) 문제로 보고 있습니다.
제픔의 특성상 Gate를 디른 재료로 바꿀수는 없구요.
Cu 확산이 이뤄진다라는 가정하에 이놈을 효과적으로 제어하는 방법이 있을까요.
의견 부탁드립니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [290] | 77352 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20513 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57432 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68974 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92998 |
| 771 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1]  | 201 |
| 770 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [2] | 207 |
| 769 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 216 |
| 768 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 221 |
| 767 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1] | 227 |
| 766 | 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] | 228 |
| 765 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] | 230 |
| 764 | skin depth에 대한 이해 [1] | 239 |
| 763 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 245 |
| 762 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 249 |
| 761 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 255 |
| » | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 260 |
| 759 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 271 |
| 758 | 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] | 277 |
| 757 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 292 |
| 756 | RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] | 293 |
| 755 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 293 |
| 754 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 299 |
| 753 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 303 |
| 752 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 303 |