Plasma Source Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문
2024.04.02 15:34
안녕하세요 교수님, 지난 micro arc 답변 감사드립니다.
오늘은 임피던스 i 값 관련 질문드립니다, impedance i값이 제 예상과 달라, 어떤 부분을 추가로 고려해야할지 여쭙습니다.
CCP type의 pecvd 이고 상황은 이렇습니다.
서로 다른 recipe A, recipB가 있는데, A가 B보다 power가 높아 imp i가 더 작은 음수 값을 가질 것으로 예상했습니다. 이유는 debye length에 따른 쉬스길이가 더 길것이기 때문입니다.(Xc=1/jwc)
하지만 파워값이 적은 B recipe가 오히려 더 낮은 음수값을 가졌습니다.
파워 이외에 어떤 변수에 의해 B recipe가 imp i값이 더 작을까요?
B 와 A는 서로 다른 gas를 사용하고, 유량도 다르게 사용됩니다.
다만 공정진행 압력은 둘다 비슷하여 플라즈마 밀도나 전자온도를 어떻게 해석해야 맞는지 조언 부탁드립니다.
아래는 대략적인 rcp 입니다, 참고 부탁드립니다.
A B
Power : 500 100
Total Gas : 15000 5000(sccm)
Imp I. : -4 -8
공정 압력. : 5 7
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77210 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68901 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 9 |
805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 22 |
804 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 40 |
803 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 22 |
802 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 74 |
801 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 90 |
800 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 67 |
799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 58 |
798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 82 |
797 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 119 |
796 | Druyvesteyn Distribution | 47 |
795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 60 |
794 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 122 |
793 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 36 |
792 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 54 |
791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 133 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 130 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 110 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 118 |
787 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 257 |