안녕하세요 교수님

 

제목에서 말씀드린 것 처럼 Ion 입사각을 확인하고 싶은데 문제가 있습니다. Etch 설비라면 Profile을 통해 알 수 있겠으나, 제가 맡고 있는 설비는 CVD 설비 입니다. ICP TYPE에서 DEP 과 Etch 가 동시에 일어나 Gapfill 목적으로 사용되는 설비입니다. 그렇다보니 Etch 처럼 Profile에서 Ion 의 입사각도가 드러나지 않는데, 어떻게하면 확인해볼 수 있을지 조언 부탁드립니다. 확인하는 목적은 Outer 영역에 Ion flux 가 집중되는 것으로 보여 확인하기 위함입니다. 늘 감사드립니다. 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 80288
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21498
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58303
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69903
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95004
824 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 44
823 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 46
822 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 88
821 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 242
820 ICP dry etch 시 공정 문의 사항. [1] 265
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 298
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 313
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 182
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 229
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 225
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 276
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 204
812 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 140
811 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 133
810 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 209
809 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4299
808 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 220
807 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 303
806 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 159
805 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 178

Boards


XE Login