Collision 충돌단면적에 관하여
2004.06.19 15:56
대개의 ICP-Type의 공정은 매우 낮은 압력에서
이루어지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우
전자의 mean free path를 기준으로 플라즈마관련
문제를 푸는 것으로 알고 있습니다. 여기서 질문인데요...
압력이 10mTorr 정도인 경우 mean free path가 충분히 길어
지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우 mean free path를
Chamber의 Size를 기준으로 계산을 해도 되는지 여쭤보고
싶습니다. 만일 안된다면 어떤 이유인지요...^^
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77078 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20392 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57300 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68845 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92853 |
| 801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 25 |
| 800 | Druyvesteyn Distribution | 28 |
| 799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 37 |
| 798 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 42 |
| 797 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 43 |
| 796 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 45 |
| 795 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 46 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 54 |
| 793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 78 |
| 790 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 86 |
| 789 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 87 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 90 |
| 787 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
| 786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 98 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 105 |
| 784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 107 |
| 783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 111 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |