Sheath [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다.
2012.08.10 14:08
이제 막 Plasma Etch에 대해 공부하게 되었습니다. 일본계 반도체 장비업체에 다니고 있습니다만, 아직 초보라
사소한 잘문 드립니다.
제가 듣기로 CCP Type의 Chamber (Asymmetirc 구조)에서는 Vp<<Vdc 로 인해서 수직으로 입사하는 이온 에너지가 매우
커진다고 들었는데요, 여기서 Vdc가 걸리는 것은 이해가 되는데 Vp (plasma Potential)은 어떤 느낌인지 통 감이 안옵니다.
예를들어 Plasma window와 전극간의 전위차를 의미하는 것인지, Plasma밀도가 높아지면, Vp가 커지는 것인지 이런저런
Chamber 내에서의 물리적 화학적 전기적 움직임에 대한 전반적인 모습이 이미지화 되지 않아서 애를 먹고 있습니다.
기초 전기 자기현상에 대한 지식이 부족한 것 때문인지 모르겠는데, 간단한 설명, 혹은 참고 서적을 추천 부탁 드려도 될까요?
어떤 기초지식이 있어야 현상들을 이해할 수있을지 차근차근 공부하고 싶습니다.
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