ESC 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
2020.08.12 09:14
안녕하십니까 김곤호 교수님
ESC를 공부하다가 어려운 내용이 있어서 이렇게 글을 올려봅니다.
전극 형태만 다르고 모두 같은 조건의 ESC중에 (interdigital 형식 전극과 Capacitor 형식의 전극이 큰 전극)
Chucking Force가 어떤 것이 높은지 궁굼합니다.
또 이 두가지의 장단점을 조금만 설명해 주시면 큰 도움이 될 것 같습니다.
대략적인 사진 첨부 드립니다. 컨펌 부탁드리겠습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77331 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20510 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57430 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68969 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92996 |
| 570 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1100 |
| 569 | Plasma Arching [1] | 1105 |
| 568 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1107 |
| 567 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1113 |
| 566 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1124 |
| 565 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1131 |
| 564 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1131 |
| 563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1146 |
| 562 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1152 |
| 561 | 자기 거울에 관하여 | 1152 |
| 560 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1157 |
| 559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1157 |
| 558 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1157 |
| 557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1159 |
| 556 | wafer bias [1] | 1167 |
| 555 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1169 |
| 554 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1175 |
| 553 | 공정플라즈마 [1] | 1175 |
| 552 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1176 |
| 551 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1182 |