안녕하세요. 문의드립니다.

Etch Chamber 에 Chuck 하부에 RF Bias Cable Feeding 을 위해 대부분의 장비들은 정 가운데로 Feeding 되는것으로

알고 있습니다. 정 가운데 말고 옆으로 5~10센치정도 벗어나 Feeding 을 하게 되면 Chamber 공정 진행에 영향을 주게 될런지?

문의를 드립니다.

답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 80786
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21599
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70027
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95310
604 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 17043
603 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17004
602 플라즈마 처리 [표면처리와 Plasma Chemistry] 16977
601 Virtual Matching [Impedance matching] 16902
600 sputter 16897
599 nodule의 형성원인 16826
598 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전력 인가와 플라즈마 밀도] [2] 16773
597 몇가지 질문있습니다 16619
596 CCP의 electrod 재질 혼동 [PECVD와 화학물 코팅] 16568
595 플라즈마의 어원 [Langmuir] 16381
594 궁금해서요 16360
593 궁금합니다 [입자 속도에 따른 충돌 단면적과 mean free path] [1] 16236
592 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용 16129
591 플라즈마로 처리가 어떻게 가능한지 궁금합니다. [수중방전의 heating source] [1] 16121
590 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 16055
589 역 수소폭탄에 대하여… [핵융합에 필요한 요소들] 16041
588 k star [기초과학지원 연구원] 15983
587 ICP TORCH의 냉각방법 [냉각수와 와류] 15967
586 Sputter 15948
585 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15940

Boards


XE Login