Process 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산]
2021.02.18 00:14
안녕하세요.
반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.
타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라
플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
2021.02.18 00:14
안녕하세요.
반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.
타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라
플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.