Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
2021.05.25 11:57
안녕하세요. 반도체 회사에 재직중인 장비엔지니어 입니다.
에칭을 진행하는 특정 공정에서 특정 Step을 진행하는 중간에
60Mhz만 Ref가 튀면서 Bias Power도 튀는 현상이 있습니다..
27Mhz, 2Mhz도 사용하지만 해당 Power의 Ref는 정상이구요..
매쳐나 Generator를 바꿔봐도 현상이 똑같은거보면 chamber 내부에서 분위기가 달라지면서 발생하는 현상일 것 같은데
어떤 이유들이 이런 현상을 일으킬 수 있을까요..?
댓글 2
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77331 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20510 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57430 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68969 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92996 |
| 570 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1100 |
| 569 | Plasma Arching [1] | 1105 |
| 568 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1107 |
| 567 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1113 |
| 566 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1124 |
| » | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1131 |
| 564 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1131 |
| 563 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1146 |
| 562 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1152 |
| 561 | 자기 거울에 관하여 | 1152 |
| 560 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1157 |
| 559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1157 |
| 558 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1157 |
| 557 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1159 |
| 556 | wafer bias [1] | 1167 |
| 555 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1169 |
| 554 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1175 |
| 553 | 공정플라즈마 [1] | 1175 |
| 552 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1176 |
| 551 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1182 |