안녕하세요. 경희대학교에서 플라즈마에 대한 학부연구를 진행하고 있는 박준우라고 합니다.

플라즈마의 전자 온도에 대한 간단한 질문이 있어 QNA 드립니다.

 

플라즈마 내의 전자가 물질(substrate)과 충돌했을 때, 맞은 substrate의 전자도 온도가 올라가는 것으로 알고 있습니다.

이 때 일반적으로 진공에 떠돌아 다니는 전자의 온도와, substrate의 전자 온도의 정의를 똑같이 할 수가 없다고 하는데, 정확히 어떻게 정의가 달라지는지 궁금하여 질문 드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 80889
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21621
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58426
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70047
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 95357
664 RF 파워서플라이 매칭 문제 918
663 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 6258
662 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [RF Power와 reflection] [1] 1462
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [Balance equation] [1] 813
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 684
659 N2, N2O Gas 사용시 Plasma 차이점 [N2 Plasma] [1] 1690
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [Cleaning 후 재활용] [1] 580
657 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1298
656 Co-relation between RF Forward Power and Vpp [RF ground] [1] 676
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [Ground와 Clamp] [1] 1127
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [Plasma information과 monitoring] [1] file 680
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1213
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 1785
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1043
650 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2283
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 984
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4293
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1335
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1048
645 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 1740

Boards


XE Login