CCP CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요?

2021.09.09 15:47

피했습니다 조회 수:3601

안녕하세요 교수님. 언제나 성심성의것 답변해주셔서 공부를 하는데 큰 도움을 받고 있습니다.

 

저는 ICP, CCP 모두 다루는 반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

관찰해보면 CCP 장비에서 Arcing 문제가 더 많이 발생하고 있습니다.

 

 

어떤 이유 때문에 ICP보다 CCP 구조에서 Arcing이 더 많이 발생하는 걸까요?

 

전극 사이의 거리가 가까워서 그런건가요?

 

 

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77208
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1778
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1788
464 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1814
463 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1834
462 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1836
461 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1875
460 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1877
459 가입인사드립니다. [1] 1881
458 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1883
457 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1915
456 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1919
455 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1924
454 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1927
453 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1929
452 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1933
451 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1953
450 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1957
449 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1967
448 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1974
447 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1983
쓰기
태그

Boards

XE Login