Etch Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유
2023.03.24 09:08
안녕하세요. 교수님
후공정 기업에서 Sputtering 공정을 관리하는 신입 엔지니어입니다.
일을 배우며, 전공적으로 이해가 되지 않는 부분이 있으나,
이론적으로 알려주는 선배들이 없어 교수님 도움 받고자 질문글 남깁니다.
저희는 박막 증착 전, 표면적을 넓혀 adhesion을 높이기 위해,
Ar Plasma Etching을 진행하고 있습니다.
허나, 표면이 Metal 혹은 Si 일 경우, Ar Plasma Etching을 진행하지 않습니다.
"쇼트가 날 수 있어, 진행하면 안된다."라고는 들었는데, 이해가 잘 되지 않습니다.
제가 세운 가설은 Etching된 Metal (혹은 Si) 이 Sheild에 증착되어,
Wafer와 닿을 정도로 성장해 접지가 되어 plasma의 지속이 멈추는 것입니다.
교수님, 제가 이해한 것이 맞을까요?
도움 부탁 드립니다.
+Plasma type은 ICP(RF)이며, Ar gas로만 plasma 형성합니다.
또한, Quartz Chamber 사용하고 있습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77055 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20376 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57288 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68833 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92833 |
801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 24 |
800 | Druyvesteyn Distribution | 27 |
799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 35 |
798 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 41 |
797 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 43 |
796 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 44 |
795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 45 |
794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 52 |
793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 77 |
790 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 86 |
789 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 87 |
788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 88 |
787 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
786 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 97 |
785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 105 |
784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 106 |
783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 109 |
782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |