안녕하세요. 반도체 공부하고 있는 취업준비생입니다.

공정실습을 진행하면서 궁금한 점이 있어 질문하게 되었습니다.

IGZO 채널층을 증착하는 스퍼터링 공정을 수행했습니다.

스퍼터링 공정 시 사용한 가스의 종류는 Ar과 O2이며, Ar은 고정된 유량으로 진행했고 O2는 0.1sccm부터 0.3sccm으로 증가시키며 진행했습니다.

이때 공정 시간은 조금씩 증가했습니다.

1. 증착 공정에서는 MFP에 따라 공정 시간이 달라지는 것으로 알고 있습니다.

(MFP가 짧으면 증착 효율이 낮아져 공정 시간이 증가하고, MFP가 길면 공정 시간이 감소한다)

이 개념이 맞는지 궁금합니다.

2. 위 개념이 맞다면, 가스 유량을 증가시킴에 따라 MFP가 감소하기 때문에 공정시간이 증가한 것이라고 생각하는데

이를 보완하기 위해 RF Power를 증가시켜 증착 효율을 높여 공정 시간을 조금 더 단축시킬 수 있을까요?

이 방법이 불가능한지에 대한 의견을 듣고 싶고, 또한 학부생 수준으로서 다른 개선 방안이 있을지 궁금합니다.

감사합니다.