Collision 충돌단면적에 관하여

2004.06.19 15:56

관리자 조회 수:26191 추천:400

대개의 ICP-Type의 공정은 매우 낮은 압력에서
이루어지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우
전자의 mean free path를 기준으로 플라즈마관련
문제를 푸는 것으로 알고 있습니다. 여기서 질문인데요...
압력이 10mTorr 정도인 경우 mean free path가 충분히 길어
지는 것으로 알고 있습니다. 이런 경우 mean free path를
Chamber의 Size를 기준으로 계산을 해도 되는지 여쭤보고
싶습니다. 만일 안된다면 어떤 이유인지요...^^

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76985
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20334
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57257
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68803
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92801
761 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 218
760 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 226
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 232
758 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 233
757 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 257
755 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 260
754 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 267
753 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 271
752 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 276
751 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 289
750 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 295
749 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 304
748 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 322
747 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 325
746 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 325
745 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 326
744 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 326
743 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 330
742 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 336

Boards


XE Login