self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] | 77306 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20505 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57415 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68952 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92989 |
170 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 757 |
169 | ICP 후 변색 질문 | 749 |
168 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 748 |
167 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 747 |
166 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 743 |
165 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 733 |
164 | Polymer Temp Etch [1] | 731 |
163 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 725 |
162 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 721 |
161 | 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] | 719 |
160 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 718 |
159 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 716 |
158 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 708 |
157 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 704 |
156 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 702 |
155 | plasma 공정 중 색변화 [1] | 701 |
154 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 694 |
153 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 693 |
152 | N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] | 689 |
151 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 672 |