안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로


두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.


첫째는

O2만 넣고 플라즈마 했을 때  / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때

 대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)

그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고

RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해

측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은

기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.


둘째는

플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.


관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.


-플라즈마종사자 드림-

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77312
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20507
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57416
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68959
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92991
810 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] 23
809 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 30
808 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] 40
807 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 43
806 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 47
805 Druyvesteyn Distribution 54
804 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 59
803 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 61
802 플라즈마 식각 커스핑 식각량 65
801 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 69
800 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 70
799 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 80
798 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 83
797 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 85
796 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 91
795 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 91
794 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 93
793 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 93
792 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 103
791 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 105

Boards


XE Login