안녕하세요,

반도체 업체에서 PVD, Descum을 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

원래 담당이 Plasma 계열이 아니라 많은 것들이 부족하여 찾아찾아 이곳까지 발을 들이게 되었습니다. 궁금한 사항은 하기와 같습니다.

-. 현재 ICP type plasma 장비를 사용하고 있습니다.

-. ICP 설비 사용함에 있어 RF를 사용하여 coil에 bias를 인가함으로  plasma를 발생시키는 것과, platen(chuck)에 bias를 인가 하여 (-)극으로 만드는 것까지는 이해하고 있습니다.


==>  여기서, RF bias인가를 통해 platen이 (-)극으로 변경되었을 때, DC bias라는 명칭이 사용되는데(장비상 display, Vdc 또는 DC bias), 이 부분이 self bias를 통해 생성되는 bias라고 생각하면 되는 것인가요?

==> 그리고 Vdc 또는 DC bias로 display되는 전압이 혹시 DC 전원을 사용한 plasma와 동일한 영향력을 가지고 있는지 궁금합니다.

==> 영향력이 의미하는 부분은 DC 전원 사용하여 만든 음극은 electrode에 민감한 MEMS 자재를 작업하기엔 어렵기 때문에, 혹시 RF bias로 만든 DC bias가 DC전원을 사용했을 때와 동일한 effect를 가지는지가 궁금합니다.


답변주시면 감사드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77307
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20505
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57415
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68953
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92989
810 플라즈마 장비 내부 온도 측정법 [1] 22
809 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 28
808 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] 39
807 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 43
806 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 47
805 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 50
804 Druyvesteyn Distribution 54
803 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 60
802 플라즈마 식각 커스핑 식각량 64
801 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 67
800 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 70
799 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 79
798 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 81
797 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 83
796 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 89
795 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 90
794 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 93
793 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 93
792 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 102
791 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 105

Boards


XE Login